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英文字典中文字典相关资料:


  • Gallium arsenide - Wikipedia
    Gallium arsenide (GaAs) is a III-V direct band gap semiconductor with a zinc blende crystal structure Gallium arsenide is used in the manufacture of devices such as microwave frequency integrated circuits, monolithic microwave integrated circuits, infrared light-emitting diodes, laser diodes, solar cells and optical windows [6]
  • 砷化镓_百度百科
    砷化镓（gallium arsenide）是一种无机化合物，化学式为GaAs，为黑灰色固体，熔点1238℃。 它在600℃以下能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。
  • Physical properties of Gallium Arsenide (GaAs) - Ioffe Institute
    Basic Parameters at 300 K Band structure and carrier concentration Basic Parameters of Band Structure and carrier concentration Temperature Dependences Energy Gap Narrowing at High Doping Levels Effective Masses and Density of States Donors and Acceptors Electrical Properties Basic Parameters of Electrical Properties Mobility and Hall Effect Transport Properties in High Electric Fields Impact
  • 第二代半导体---砷化镓(GaAs) - 知乎
    砷化镓（gallium arsenide）是一种 无机化合物，化学式为GaAs，为黑灰色固体，熔点1238℃。 它在600℃以下能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。 砷化镓是一种重要的 半导体材料。 属Ⅲ－Ⅴ族 化合物半导体。
  • GaAs pHEMT工艺详解 - 知乎
    3、晶体管参数 GaAs pHEMT 工艺库中提供的晶体管种类有两种，D管和E管。 D管为0 15 μm 的Ti Pt Au 栅，具有低电阻率和高可靠性，E管为0 50 μm的Pt Ti栅，专用于数字电路。 MOS晶体管的栅极宽度都为0 15 μm，栅极宽度可以调节，选择合适的晶体管能够实现更优的电路设计。
  • Optical properties of Gallium Arsenide (GaAs) - Ioffe Institute
    Free carrier absorption versus wavelength at different temperatures
  • I. GaAs Material Properties - NASA
    GaAs has several advantages over silicon for operation in the microwave region-primarily, higher mobility and saturated drift velocity and the capability to produce devices on a semi-insulating substrate
  • 被公认的未来趋势：服务型游戏（GaaS） - IGN中国
    起初 GaaS 这一术语所指的就是一种游戏商业模式（Business Model），然而近些年来，随着游戏产业的不断发展，人们发现，想要让玩家们长期投入到一款游戏中，仅靠产品本身去设计一个长期的付费模式、定期更新内容，是远远不够的，我们需要给他们更多产品
  • GaAs Semiconductor: Properties, Applications and Advantages
    A GaAs semiconductor is defined as a compound of gallium and arsenic that belongs to the III-V group of semiconductors GaAs has a direct band gap of 1 424 eV at 300 K and a zinc blend crystal structure
  • 砷化鎵 - 維基百科，自由的百科全書
    砷化鎵 （化學式： GaAs）是 鎵 和 砷 兩種 元素 所合成的 化合物，也是重要的 IIIA族 、 VA族 化合物半導體 材料，用來製作 微波 積體電路 [a] 、 紅外線 發光二極體 、 半導體雷射器 和 太陽電池 等元件。 砷化鎵為 1類致癌物。





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