英文字典中文字典


英文字典中文字典51ZiDian.com



中文字典辞典   英文字典 a   b   c   d   e   f   g   h   i   j   k   l   m   n   o   p   q   r   s   t   u   v   w   x   y   z       







请输入英文单字，中文词皆可：

filamentous    
a. 细丝状的,如丝的,纤维所成的

安装中文字典英文字典查询工具!


中文字典英文字典工具:
选择颜色:
输入中英文单字

































































英文字典中文字典相关资料:


  • 紫分可见光谱法计算半导体禁带宽度 UV-Vis-NIR spectrum for . . .
    本技术专题基于紫外可见近红外分光光度计，介绍最常用的用于禁带宽度计算的光谱法。 根据半导体的导带底与价带顶对应K空间中位置是否一致，其带隙可以分为直接带隙和间接带隙，当采用吸收光谱法计算带隙时，两种带隙的计算方法是不一样的，所以首先简单介绍一下两者的区别。
  • 如何从紫外可见漫反射光谱得到半导体的禁带宽度？ - 知乎专栏
    从UV-vis DRS谱图得到半导体带宽的两种方式 A 截线法 截线法是一种简易的求取半导体禁带宽度的方法，其基本原理是认为半导体的带边波长（也叫吸收阈值，λg）决定于禁带宽度Eg,两者之间存在Eg (eV)=1240 λg (nm)的数量关系。 因此，可以通过求取λg来得到Eg 具体操作： 1) 一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收，如图a所示; 2) 在Origin中，通过Analysis--> Mathematics-->Differentiate对图a中的曲线求一次微分，并找到极值（X,k）。 3) 在图a中，过极值点（X,Y）作斜率为k的截线，该截线与横坐标轴的交点即为吸收波长的阈值（λg）；
  • 紫外漫反射怎么测禁带宽度？ - 知乎
    从UV-vis DRS谱图得到半导体带宽的两种方式 A 截线法 截线法是一种简易的求取半导体禁带宽度的方法，其基本原理是认为半导体的带边波长（也叫吸收阈值，λg）决定于禁带宽度Eg,两者之间存在Eg (eV)=1240 λg (nm)的数量关系。 因此，可以通过求取λg来得到Eg 2) 在Origin中，通过Analysis--> Mathematics-->Differentiate对图a中的曲线求一次微分，并找到极值（X,k）。 4) 通过公式Eg=1240 λg 来求取半导体的禁带宽度。 备注： 这种方法虽然也有人在用，但文献中还是比较少见，简单来考量半导体的禁带宽度是可以的，但是在论文中还是建议用下面的这种方法——Tauc plot法。 B Tauc plot法
  • 紫外可见漫反射光谱UV-Vis计算带隙 禁带宽度的方法
    打开紫外漫反射光谱数据，按照公式分别求 (αhv)1 m和 hv ，其中hv=hc λ，c为光速，λ为光的波长（通过漫反射光谱所测得的谱图，横坐标是波长，纵坐标一般为吸光度值，如果是透射率，可以转换为吸光度）； 2 将 hv 和 (αhv)1 m的值导入origin，分别为x轴和y轴，在origin中以 (αhv)1 m对 hv 作图散点图； 3 在步骤2的曲线中可以看到，图大概是先转个弯，然后有一段近似线性。 在图上找到其中的直线段延长到X轴，它与x轴的交点就是禁带宽度。 1、不定期推出各种优惠活动，详情咨询客服。 2、测试前联系在线客服确认测试条件、检测费用、检测周期等。
  • 关于紫外可见漫反射光谱（UV-Vis DRS），有这一文就够了
    紫外可见漫反射光谱（UV-Vis DRS）主要是利用光在物质表面的反射来获取物质的信息，与物质的电子结构有关。 一般用于研究固体材料，可研究催化剂表面过渡金属离子及其配合物的结构、氧化状态、配位状态、配位对称性；可在光催化中研究催化剂的光吸收
  • 用紫外可见光谱法求禁带宽度_百度文库
    由朗伯-比尔定律知，A=abc，a是吸光系 数，b是比色皿或者薄膜样品厚度，c是浓 度。 b，c是固定值，a=A bc=A K。 禁带公 式可写成如下形式：
  • 计算宽度_如何通过紫外可见漫反射光谱计算带隙 禁带宽度 . . .
    所以从UV-vis DRS谱图得到半导体的禁带宽度，这个技能应该是必须要掌握的。 方 法 有两种，切线 法 和 Tauc plot 法 。 如果粗略 计算 的话，可以采用切线 法 ，但是相对来说， Tauc plot 法 更加准确，用的更多些。
  • 利用吸收光谱获取半导体材料的禁带宽度 - 知乎
    禁带宽度是半导体的一个重要特征参量，其大小主要决定于半导体的能带结构，即与晶体结构和原子的结合性质等有关。 禁带宽度的大小实际上是反映了价电子被束缚强弱程度的一个物理量，也就是产生本征激发所需要的最小能量。
  • 用紫外可见光谱法求禁带宽度. - 豆丁网
    禁带公式可写成如下形式： K值的大小对Eg没有影响，以hv为横坐标，以或为纵坐标，作图，再做切线，即可得到Eg。 hv用1024 波长代替。
  • 紫外可见漫反射光谱UV-Vis计算带隙 禁带宽度的方法
    打开紫外漫反射光谱数据，按照公式分别求 (αhv)1 m和 hv ，其中hv=hc λ，c为光速，λ为光的波长（通过漫反射光谱所测得的谱图，横坐标是波长，纵坐标一般为吸光度值，如果是透射率，可以转换为吸光度）； 2 将 hv 和 (αhv)1 m的值导入origin，分别为x轴和y轴，在origin中以 (αhv)1 m对 hv 作图散点图； 3 在步骤2的曲线中可以看到，图大概是先转个弯，然后有一段近似线性。 在图上找到其中的直线段延长到X轴，它与x轴的交点就是禁带宽度。 1、不定期推出各种优惠活动，详情咨询客服。 2、测试前联系在线客服确认测试条件、检测费用、检测周期等。





中文字典-英文字典  2005-2009